制造商型号: | GS-065-004-1-L-TR |
制造商: | GaN systems |
产品类别: | 未分类 |
商品描述: | MOSFET 650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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GaN systems GS-065-004-1-L-TR
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GS-065-004-1-L-TR 中文资料
数据手册PDF
GS-065-004-1-L-TR 规格参数
关键信息
制造商 GaN Systems
商标 GaN Systems
技术类参数
技术 GaN-on-Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 570 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 7 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 800 pC
耗散功率 -
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.5 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 3 ns
晶体管类型 E-Mode GaN Transistor
典型关闭延迟时间 6.5 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
其它
发货限制:
库存: 4918
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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