制造商型号： | GS61008P-TR |
制造商： | GaN systems |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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GaN systems GS61008P-TR
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GS61008P-TR 中文资料
数据手册PDF
GS61008P-TR 规格参数
关键信息
制造商 GaN Systems
商标名 GaNPX
商标 GaN Systems
技术类参数
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 7 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 8 nC
通道模式 Enhancement
配置 Single
湿度敏感性 Yes
晶体管类型 E-HEMT Power Transistor
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
库存： 9117
货期： | 工作日（7~10天） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：咨询客服 总价：咨询客服 | |
| 购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
GS61008P-TR品牌厂家：GaN systems
，所属分类： 未分类
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