制造商型号: | SIR4606DP-T1-GE3 |
制造商: | Vishay Siliconix (威世) |
产品类别: | 未分类 |
商品描述: | N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Vishay Siliconix(威世) SIR4606DP-T1-GE3
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SIR4606DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIR4606DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 + 20 V, - 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
其它
发货限制:
SIR4606DP-T1-GE3 同类别型号
库存: 1000
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
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价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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SIR4606DP-T1-GE3品牌厂家:Vishay Siliconix
,所属分类: 未分类
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