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Vishay Siliconix(威世) SIR4606DP-T1-GE3

Vishay Siliconix(威世) SIR4606DP-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SIR4606DP-T1-GE3

制造商:

Vishay Siliconix (威世)

产品类别:

未分类

商品描述:

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

服务:

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SIR4606DP-T1-GE3 中文资料

SIR4606DP-T1-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 40 A

漏源电阻 4.9 mOhms

栅极电压 + 20 V, - 20 V

栅源极阈值电压 2.4 V

栅极电荷 54 nC

耗散功率 48 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 12 ns

正向跨导(Min) 60 S

上升时间 9 ns

典型关闭延迟时间 28 ns

典型接通延迟时间 25 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

其它

发货限制:

库存: 1000

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
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