制造商型号： | RM21N650T2 |
制造商： | RECTRON |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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RECTRON RM21N650T2
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RM21N650T2 规格参数
关键信息
制造商 Rectron
商标 Rectron
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.5 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 61 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g