制造商型号： | SQS660CENW-T1_GE3 |
制造商： | Vishay Siliconix (威世) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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Vishay Siliconix(威世) SQS660CENW-T1_GE3
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SQS660CENW-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 11.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 17.4 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 26 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
品牌其他型号
SQS660CENW-T1_GE3品牌厂家：Vishay Siliconix
，所属分类： 未分类
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