制造商型号: | SIHB186N60EF-GE3 |
制造商: | Vishay Siliconix (威世) |
产品类别: | 未分类 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Vishay Siliconix(威世) SIHB186N60EF-GE3
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SIHB186N60EF-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHB186N60EF-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 8.4 A
漏源电阻 168 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) 5.4 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 N - Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 2997
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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SIHB186N60EF-GE3品牌厂家:Vishay Siliconix
,所属分类: 未分类
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