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关于 信安Truesemi

信安半导体成立于2008年，属安联集团全资子公司，致力于大中华地区MOSFET产品销售，2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域，同年收购韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯片工厂。 POWER SOLUSTION是一家专业电力半导体FAB OWN公司。公司成立于2005年，工厂坐落在韩国第一工业城市--浦项，主营POWER MOSFET及IGBT的生产于研发。目前8 英寸月产能12000片，是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线，目前公司员工195人，所有技术骨干均来自韩国SAMSUNG（三星）半导体和美国FAIRCHILD（仙童）半导体。他们在产品研发和生产制程方面具有丰富的行业经验。公司2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可。在韩国极东大学和富川设有附属研究所。目前VD-MOSFET和IGBT产品获得韩国政府12项技术专利。 POWER SOLUSTION生产的产品广泛应用于电焊机、逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源等各领域。韩国三星电子、LG电子、康佳等公司均为POWER SOLUSTION终端客户。

产品分类

过滤结果：61

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
TSF4N90M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF4N90M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.4617

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TSF16N50MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF16N50MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥4.3672

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￥3.3269

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TSF7N65M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF7N65M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.6Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSF4N60M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF4N60M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSF12N65M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF12N65M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSA3878_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSA3878
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSF20N65MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF20N65MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSF10N80M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF10N80M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：240W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSU5N60M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSU5N60M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSP740MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSP740MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：510mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：193.6W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSP12N60M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSP12N60M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSF840MD_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF840MD
Truesemi(信安)
授权代理品牌
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TSF840MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF840MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45.5W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSF8N60M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF8N60M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSF7N80M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF7N80M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.6Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：56W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥3.6153

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￥2.7398

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TSP840MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSP840MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：139W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSF16N65MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF16N65MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥5.7062

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TSA20N50M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSA20N50M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥4.8719

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TSF5N60M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF5N60M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSA24N50M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSA24N50M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥10.1764

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TSF10N65M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF10N65M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥3.0488

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TSF13N50M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF13N50M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥4.0788

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￥3.0797

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￥2.8634

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TSF16N60MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF16N60MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：470mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥4.3363

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￥3.3166

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￥3.1209

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TSP13N50M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSP13N50M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：195W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥2.7192

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￥2.0291

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TSF12N60M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF12N60M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥2.1733

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￥2.0394

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TSF18N50MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF18N50MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：320mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥4.3363

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TSF5N65M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF5N65M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥1.359085

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TSP8N60M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSP8N60M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：152W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.135705

+10：

￥1.626061

+30：

￥1.532434

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￥1.43891

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￥1.397298

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TSP10N60M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSP10N60M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：162W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥2.472

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TSA20N60MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSA20N60MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌
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TSA18N50MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSA18N50MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：310mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：235W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥6.0152

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￥4.5938

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￥4.3363

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￥3.9552

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TSF18N60MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF18N60MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥3.8213

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￥2.7604

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￥2.5647

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TSF20N60MR_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSF20N60MR
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSA9N90M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSA9N90M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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TSU5N65M_晶体管-FET，MOSFET-射频
TSU5N65M
Truesemi(信安)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.27Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：58W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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