嵌入式存储器的测试及可测性设计研究
嵌入式存储器的测试及可测性设计研究,引言 近年来,消费者对电子产品的更高性能和更小尺寸的要求持续推动着SoC(系统级芯片)
发布时间:2024-03-24
集成电路的失效原因大致分为三个阶段: Region (I) 被称为早夭期(Infancy period), 这个阶段产品的失效率快速下降,造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷; Region (II) 被称为使用期(Useful life period...
发布时间:2023-10-18
规律总结: 纳米级MOS栅氧瞬态击穿电压一般性规律: 1.栅极氧化层越厚其相应瞬态击穿电压越高;...另外,在电路设计中需要注意的是,当射频电路中输入输出端需使用片上MOS电容作为滤波电容,或输入端MOS栅极
发布时间:2023-08-18