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关于SemiHow

SemiHow是以在先进半导体技术和中国奠定的高品质生产为基础...以中国企业坚实的 Partnership为武器, 与 Partner一起 用其他企业无法抗衡的竞争力, 扩大中国市场的 Market企业。

英文全称：SemiHow

中文全称：-

英文简称：SemiHow

品牌介绍： SemiHow

产品分类
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
HCD65R320_未分类
HCD65R320
SemiHow
授权代理品牌
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￥5.336327

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￥4.498216

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￥4.073856

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￥3.755586

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￥3.458534

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国内：1~2 天

 暂无参数
HCS65R320S-FM_未分类
HCS65R320S-FM
SemiHow
授权代理品牌
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￥6.826892

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￥5.818612

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￥5.272461

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￥4.642286

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￥4.159152

库存： 有货

国内：1~2 天

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HCS70R230S-FM_未分类
HCS70R230S-FM
SemiHow
授权代理品牌
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￥9.179543

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￥7.824668

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￥7.078961

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￥6.238729

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￥5.587548

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
HCS80R380S-FM_GREEN_未分类
HCS80R380S-FM_GREEN
SemiHow
授权代理品牌
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￥8.129252

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￥6.952926

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￥6.301746

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￥5.566542

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￥5.240952

库存： 有货

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HCD65R320_Green(A)_未分类
HCD65R320_Green(A)
SemiHow
授权代理品牌
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￥5.461513

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￥4.505748

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￥4.022615

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￥3.549984

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￥3.266405

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国内：1~2 天

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HFS10N65U_晶体管-FET，MOSFET-射频
HFS10N65U
SemiHow
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：980mΩ @ 4.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥3.9449

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￥2.9973

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￥2.8222

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￥2.6471

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￥2.575

库存： 有货

国内：1~2 天

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HFS5N60U_晶体管-FET，MOSFET-射频
HFS5N60U
SemiHow
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥2.2866

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￥1.7304

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￥1.6274

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￥1.5244

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￥1.4832

库存： 有货

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HFS13N50U_晶体管-FET，MOSFET-射频
HFS13N50U
SemiHow
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥5.1294

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￥3.8934

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￥3.6668

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￥3.4402

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￥3.3372

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国内：1~2 天

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HFS12N60S_晶体管-FET，MOSFET-射频
HFS12N60S
SemiHow
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥5.5517

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￥4.2127

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￥3.9655

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￥3.7183

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￥3.6153

库存： 有货

国内：1~2 天

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HFS10N60U_晶体管-FET，MOSFET-射频
HFS10N60U
SemiHow
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 4.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥3.4196

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￥2.5956

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￥2.4411

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￥2.2866

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￥2.2248

库存： 有货

国内：1~2 天

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HFS10N80_晶体管-FET，MOSFET-射频
HFS10N80
SemiHow
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.15Ω @ 4.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥5.3354

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￥4.0479

+30：

￥3.811

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￥3.5741

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￥3.4711

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
HFS12N65S_晶体管-FET，MOSFET-射频
HFS12N65S
SemiHow
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：780mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥4.6453

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￥3.399

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￥3.1724

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￥2.9458

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￥2.8428

库存： 有货

国内：1~2 天

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