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英文全称:MATSUKI

中文全称:松木

英文简称:MATSUKI

品牌介绍: 松木MATSUKI

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ME35N06-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME2602_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME2326A_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME120N10T_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME80N08A_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME55N06A-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME6968ED_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME9435A_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME4970_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME4565A-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME12P04_晶体管-FET,MOSFET-射频
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连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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ME4953_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME04N25-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME2604-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME7804S-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME12N04_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME3587_晶体管-FET,MOSFET-射频
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连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.4A,2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 3.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):800mW,700mW 类型:N沟道和P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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ME4411-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME60N03AS_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME8107-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME90N03_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME2328-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME8205E-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME20N15-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME4825_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME50N06T_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME12N15-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME95N03-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME4894-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME45P04_晶体管-FET,MOSFET-射频
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连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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ME95N03T_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME2308S-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME3205T_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME08N20-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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ME7839S-G_晶体管-FET,MOSFET-射频
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    发布时间:2022-07-17

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