| | 集电极电流Ic:200mA 额定功率:300mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:100mA 额定功率:200mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:45V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:100mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:45V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
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| | 集电极电流Ic:500mA 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
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| | 集电极电流Ic:500mA 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
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| | 集电极电流Ic:200mA 额定功率:200mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
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| | 集电极电流Ic:1.5A 额定功率:300mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:1.5A 额定功率:300mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:1.5A 额定功率:300mW 晶体管类型:- 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):238mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:3Ω @ 10mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
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