 | SXUV20HS1 | Opto Diode | PHOTODIODE EUV DETECTOR 5MM 数据手册 | 包装： Tray 系列： SXUV 零件状态： Active 波长： - 颜色-增强： - 频谱范围： - 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： - 响应时间： - 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 150V | | 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
 | OD-624L | Opto Diode | LED 635NM HI VIS 635NM RED TO-5 数据手册 | 包装： Tray 系列： - 零件状态： Active 类型： Visible 电流-DC 正向（If）： 500mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）： - 波长： 635nm 电压-正向（Vf）（典型值）： 2.3V 视角： 7° 朝向： Top View | | +1： | 175.6326 | | +10： | 168.15084 | | +100： | 112.0977 |
| 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | ODD-1 | Opto Diode | SENSOR PHOTODIODE 940NM TO18 数据手册 | 包装： Bulk 系列： Visible 零件状态： Active 波长： 940nm 颜色-增强： Red 频谱范围： 400nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.4 A/W @ 632nm 响应时间： - 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 60V | | 库存：1000 + 国内：1~2 天 立即购买 |
 | ODD-12W | Opto Diode | SENSOR PHOTODIODE 940NM TO18 数据手册 | 包装： Bulk 系列： Visible 零件状态： Active 波长： 940nm 颜色-增强： Red 频谱范围： 400nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.4 A/W @ 632nm 响应时间： 15ns 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 60V | | 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
 | AXUV20ELG | Opto Diode | SENSOR ELECTRON DETECTION 3MM 数据手册 | 包装： Bulk 系列： AXUV 零件状态： Active 波长： - 颜色-增强： - 频谱范围： - 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： - 响应时间： 200ns 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： - | | 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
 | ODA-6W-100M | Opto Diode | SENSOR PHOTODIODE 940NM TO39 数据手册 | 包装： Tray 系列： Hybrid 零件状态： Active 波长： 940nm 颜色-增强： Infrared (NIR)/Red 频谱范围： 400nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： - 响应时间： - 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： - | | 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
 | UVG20C | Opto Diode | PHOTODIODE UV DETECTION 19MM2 数据手册 | 包装： Bulk 系列： UVG 零件状态： Active 波长： - 颜色-增强： - 频谱范围： 250nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.115 A/W @ 254nm 响应时间： 1.7µs 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 50V | | 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
 | SXUVPS4 | Opto Diode | PHOTODIODE EUV QUADRANT 数据手册 | 包装： Tray 系列： SXUV 零件状态： Active 波长： - 颜色-增强： - 频谱范围： - 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： - 响应时间： 1µs 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 20V | | 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
 | SXUVPS4C | Opto Diode | QUADRANT PHOTODIODE 5MM 254NM 数据手册 | 包装： Box 系列： SXUV 零件状态： Active 波长： - 颜色-增强： - 频谱范围： - 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.02 A/W @ 254nm 响应时间： 1µs 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 20V | | 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
 | AXUVPS7 | Opto Diode | SENSOR ELECTRON DETECTION 15MM 数据手册 | 包装： Bulk 系列： AXUV 零件状态： Active 波长： - 颜色-增强： - 频谱范围： - 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.08 A/W @ 220nm 响应时间： 200ns 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： - | | 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
 | AXUV100TI/C2 | Opto Diode | SENSOR ELECTRON DETECTION 100MM 数据手册 | 包装： Bulk 系列： AXUV 零件状态： Active 波长： - 颜色-增强： - 频谱范围： - 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： - 响应时间： - 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 10V | | 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
 | AXUV20A | Opto Diode | PHOTODIODE ELECTRON DETECTOR 5MM 数据手册 | | | 库存：0 国外：7~10 天 立即购买 |
 | OD-880L | Opto Diode | EMITTER IR 880NM 100MA TO-46 数据手册 | 包装： Bulk 系列： - 零件状态： Obsolete 类型： Infrared (IR) 电流-DC 正向（If）： 100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）： 50mW/sr @ 100mA 波长： 880nm 电压-正向（Vf）（典型值）： 1.55V 视角： 35° 朝向： Top View | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | OD-880W | Opto Diode | EMITTER IR 880NM 100MA TO-46 数据手册 | 包装： Bulk 系列： - 零件状态： Obsolete 类型： Infrared (IR) 电流-DC 正向（If）： 100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）： 16mW/sr @ 100mA 波长： 880nm 电压-正向（Vf）（典型值）： 1.55V 视角： 80° 朝向： Top View | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | ODA-5WB-100K | Opto Diode | SENSOR PHOTODIODE 940NM 数据手册 | 包装： Bulk 系列： Hybrid 零件状态： Obsolete 波长： 940nm 颜色-增强： Blue/Green 频谱范围： 400nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： - 响应时间： - 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： - | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | UVG5 | Opto Diode | | 包装： Tray 系列： UVG 零件状态： Obsolete 波长： - 颜色-增强： - 频谱范围： 250nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.115 A/W @ 254nm 响应时间： 1µs 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： - | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | ODD-8SMD-DF | Opto Diode | SENSOR PHOTODIODE 940NM LOCAP 数据手册 | 包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： General 零件状态： Discontinued at Digi-Key 波长： 940nm 颜色-增强： - 频谱范围： 730nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.44 A/W @ 940nm 响应时间： 50ns 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 170V | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | OD-880WHT | Opto Diode | EMITTER IR 880NM 100MA TO-46 数据手册 | 包装： Bulk 系列： - 零件状态： Obsolete 类型： Infrared (IR) 电流-DC 正向（If）： 100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）： - 波长： 880nm 电压-正向（Vf）（典型值）： 1.55V 视角： 80° 朝向： Top View | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | OD-100 | Opto Diode | EMITTER IR 880NM 500MA TO-39 数据手册 | 包装： Tray 系列： - 零件状态： Obsolete 类型： Infrared (IR) 电流-DC 正向（If）： 500mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）： 60mW/sr @ 500mA 波长： 880nm 电压-正向（Vf）（典型值）： 1.65V 视角： 110° 朝向： Top View | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | AXUV100 | Opto Diode | SENSOR PHOTODIODE 254NM 数据手册 | 包装： Bulk 系列： AXUV 零件状态： Obsolete 波长： 254nm 颜色-增强： - 频谱范围： - 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.09 A/W @ 254nm 响应时间： - 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 10V | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | ODD-45W | Opto Diode | SENSOR PHOTODIODE 880NM TO46 数据手册 | 包装： Bulk 系列： - 零件状态： Obsolete 波长： 880nm 颜色-增强： - 频谱范围： 400nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.6 A/W @ 880nm 响应时间： 1µs 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 5V | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | ODD-8SMD | Opto Diode | SENSOR PHOTODIODE 940NM LOCAP 数据手册 | 包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： General 零件状态： Active 波长： 940nm 颜色-增强： - 频谱范围： 400nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.44 A/W @ 940nm 响应时间： 50ns 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 170V | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | ODD-8SMD-DF | Opto Diode | SENSOR PHOTODIODE 940NM LOCAP 数据手册 | 包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： General 零件状态： Discontinued at Digi-Key 波长： 940nm 颜色-增强： - 频谱范围： 730nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： 0.44 A/W @ 940nm 响应时间： 50ns 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： 170V | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | ODA-5W-100K | Opto Diode | SENSOR PHOTODIODE 940NM TO39 数据手册 | 包装： Tray 系列： Hybrid 零件状态： Obsolete 波长： 940nm 颜色-增强： Infrared (NIR)/Red 频谱范围： 400nm ~ 1100nm 二极管类型： - 不同 nm 时的响应度： - 响应时间： - 电压-DC 反向（Vr）（最大值）： - | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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 | OD-50W | Opto Diode | EMITTER IR 880NM 500MA TO-39 数据手册 | 包装： Tray 系列： - 零件状态： Obsolete 类型： Infrared (IR) 电流-DC 正向（If）： 500mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）： 60mW/sr @ 500mA 波长： 880nm 电压-正向（Vf）（典型值）： 1.65V 视角： 110° 朝向： Top View | 暂无价格 | 库存：0 国外：7~10 天
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