正向压降（Vf）：850mV @ 10A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：20A

二极管阵列整流器

正向压降（Vf）：750mV @ 5A 直流反向耐压（Vr）：65V 平均整流电流（Io）：2 x 5A

二极管阵列整流器

正向压降（Vf）：500mV @ 200mA 直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：200mA

二极管阵列整流器

正向压降（Vf）：550mV @ 100mA 直流反向耐压（Vr）：45V 平均整流电流（Io）：100mA

二极管阵列整流器

正向压降（Vf）：650mV @ 3A 直流反向耐压（Vr）：60V 平均整流电流（Io）：6A

二极管阵列整流器

正向压降（Vf）：420mV @ 1A 直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：1A

二极管阵列整流器

正向压降（Vf）：500mV @ 500mA 直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：500mA

二极管阵列整流器

正向压降（Vf）：550mV @ 500mA 直流反向耐压（Vr）：50V 平均整流电流（Io）：500mA

二极管阵列整流器

二极管配置：- 正向压降(Vf)：1.2V @ 100mA 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 反向恢复时间(trr)：1.6ns

二极管整流器

二极管配置：- 正向压降(Vf)：1.2V @ 100mA 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：100mA 反向恢复时间(trr)：4ns

二极管整流器

二极管配置：- 正向压降(Vf)：1.2V @ 100mA 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：100mA 反向恢复时间(trr)：4ns

二极管整流器

正向压降（Vf）：520mV @ 3A 直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：3A

二极管阵列整流器

正向压降（Vf）：420mV @ 1A 直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：1A

二极管阵列整流器

二极管配置：- 正向压降(Vf)：1.2V @ 100mA 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：100mA 反向恢复时间(trr)：4ns

二极管整流器

暂无

二极管整流器

二极管配置：- 正向压降(Vf)：1.2V @ 100mA 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：100mA 反向恢复时间(trr)：4ns

二极管整流器

二极管配置：- 正向压降(Vf)：1.2V @ 1A 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：100mA 反向恢复时间(trr)：100ns

二极管整流器

二极管配置：- 正向压降(Vf)：1.2V @ 100mA 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 反向恢复时间(trr)：4ns

二极管整流器

暂无

二极管整流器

二极管配置：- 正向压降(Vf)：1.25V @ 150mA 直流反向耐压(Vr)：85V 反向恢复时间(trr)：4ns

二极管整流器

二极管配置：- 正向压降(Vf)：1.2V @ 100mA 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：100mA 反向恢复时间(trr)：4ns

二极管整流器

集电极电流Ic：600mA 额定功率：350mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：160V

晶体管IGBT

集电极电流Ic：500mA 额定功率：350mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：30V

晶体管IGBT

暂无

晶体管IGBT

暂无

晶体管IGBT

暂无

晶体管IGBT

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：730mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：46V 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：49.8W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：27A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 13.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 100uA 漏源导通电阻：7Ω @ 10mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37.9W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频