APT30M70BVR、APT30M70BVRG对比区别

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型号 APT30M70BVR APT30M70BVRG

描述 100％的雪崩测试 100% Avalanche Tested100％的雪崩测试 100% Avalanche Tested

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-247 TO-247-3

额定电压(DC) - 300 V

额定电流 - 48.0 A

通道数 - 1

漏源极电阻 - 70 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 370 W

阈值电压 - 2 V

输入电容 - 5.87 nF

栅电荷 - 225 nC

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V

漏源击穿电压 - 300 V

连续漏极电流(Ids) 48A 48.0 A

上升时间 - 21 ns

输入电容(Ciss) - 5870pF @25V(Vds)

下降时间 - 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 370W (Tc)

封装 TO-247 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free