BSR30、PXTA92、BSR30,115对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSR30 PXTA92 BSR30,115

描述 NXP  BSR30  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 1.35 W, -1 A, 30 hFE 新Small Signal Bipolar TransistorNXP  BSR30,115  双极性晶体管, PNP

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-89 SOT-89 SOT-89-3

针脚数 3 - 3

极性 PNP - PNP, P-Channel

耗散功率 1.35 W - 1.35 W

直流电流增益(hFE) 30 - 40

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

频率 - - 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - - 60 V

集电极最大允许电流 - - 1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 40 @100mA, 5V

额定功率(Max) - - 1.35 W

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 1350 mW

封装 SOT-89 SOT-89 SOT-89-3

高度 - - 1.6 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - 150℃ (TJ)