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IXTH36P15P、IXTQ36P15P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH36P15P IXTQ36P15P

描述 TO-247AD P-CH 150V 36ATO-3P P-CH 150V 36A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-3-3

极性 P-CH P-CH

耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 36A 36A

输入电容(Ciss) 3100pF @25V(Vds) 3100pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free