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IRF1404、IRF1404Z、IRF1404ZPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1404 IRF1404Z IRF1404ZPBF

描述 TO-220AB N-CH 40V 202ATO-220AB N-CH 40V 190AINFINEON  IRF1404ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 202A 190A 190A

额定功率 - - 220 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0037 Ω

耗散功率 - - 220 W

阈值电压 - - 4 V

上升时间 - - 110 ns

输入电容(Ciss) - - 4340pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 200 W

下降时间 - - 58 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 220000 mW

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

长度 - - 10.54 mm

宽度 - - 4.69 mm

高度 - - 8.77 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)