1N5537BTR、JANTXV1N5537B-1对比区别

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型号 1N5537BTR JANTXV1N5537B-1

描述 DO-35 17V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH

容差 - ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA

稳压值 17 V 17 V

额定功率(Max) - 500 mW

耗散功率 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 -

含铅标准 -