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DSS4140V-7、PBSS4140V,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DSS4140V-7 PBSS4140V,115

描述 TRANS BIPOLAR NPN 40V SOT-563SOT-666 NPN 40V 1A

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-563 SOT-563

极性 NPN NPN

耗散功率 0.6 W 1200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 300 @500mA, 5V 300 @500mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 300 @1mA, 5V

额定功率(Max) 600 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 600 mW 1200 mW

频率 150 MHz -

封装 SOT-563 SOT-563

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -