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BZM55C5V6-TR3、BZX384C10、BZT52C10S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZM55C5V6-TR3 BZX384C10 BZT52C10S

描述 小信号齐纳二极管 Small Signal Zener DiodesZener Diode,Zener Diode,

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) EIC Good-Ark Electronics (固锝)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

封装 DO-213AB-2 SOD-323 -

引脚数 - 2 -

正向电压 1.5V @200mA - -

耗散功率 500 mW - -

测试电流 5 mA - -

稳压值 5.6 V - -

额定功率(Max) 500 mW - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

长度 1.9 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1.15 mm - -

封装 DO-213AB-2 SOD-323 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - -