FDS6990A、MMDF6N03HDR2、NTGS4111PT1G对比区别

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型号 FDS6990A MMDF6N03HDR2 NTGS4111PT1G

描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990A, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装功率MOSFET 6安培， 30伏 Power MOSFET 6 Amps, 30 VoltsON SEMICONDUCTOR  NTGS4111PT1G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOP

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 6

封装 SOIC-8 SOIC SOT-23-6

针脚数 8 - 6

漏源极电阻 0.011 Ω - 60 mΩ

耗散功率 1.6 W - 1.25 W

阈值电压 1.9 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

上升时间 5 ns - -

输入电容(Ciss) 1235pF @15V(Vds) 430pF @24V(Vds) 750pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - 630 mW

下降时间 10 ns - 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6 W 2000 mW 630mW (Ta)

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -4.70 A

通道数 - - 1

极性 - - P-Channel

漏源击穿电压 - - 30 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.70 A

长度 4.9 mm - 3.1 mm

宽度 3.9 mm - 1.5 mm

高度 1.57 mm - 1 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99