IRFAE50、SHD218602、D2-1-8对比区别

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型号 IRFAE50 SHD218602 D2-1-8

描述 TO-3 N-CH 800V 7.1AN-CH 100V 75APower Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SHD-5, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Sensitron Semiconductor Sensitron Semiconductor

分类 MOS管

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-204 - -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 800 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 7.1A 75A -

上升时间 68 ns - -

下降时间 24 ns - -

封装 TO-204 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant - -