BCR139、PDTB114ET、DTC144TUAT106对比区别

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型号 BCR139 PDTB114ET DTC144TUAT106

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorPNP电阻配备晶体管 PNP resistor-equipped transistor晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 TO-236 SC-70-3

极性 NPN PNP NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 500mA 100mA

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

额定功率 - - 0.2 W

耗散功率 - - 0.2 W

最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) - - 200 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

增益带宽 - - 250 MHz

耗散功率(Max) - - 200 mW

封装 SOT-23 TO-236 SC-70-3

长度 - - 2 mm

宽度 - - 1.25 mm

高度 - - 0.8 mm

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃