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IXFH10N80P、IXFP10N80P、IXFA10N80P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH10N80P IXFP10N80P IXFA10N80P

描述 N沟道 800V 10AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR  IXFA10N80P  功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 10 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3

通道数 1 - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 1.1 Ω - 1.1 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 300 W 300W (Tc) 300 W

阈值电压 5.5 V - 5.5 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V - 800 V

上升时间 22 ns - 22 ns

输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns - 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3

长度 16.26 mm 10.66 mm -

宽度 5.3 mm 4.83 mm -

高度 21.46 mm 9.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15