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BLF548、MRF275G、BLF246B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF548 MRF275G BLF246B

描述 超高频推挽功率MOS晶体管 UHF push-pull power MOS transistor射频MOSFET线150W ,为500MHz , 28V The RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28V甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) M/A-Com NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 - 5 -

封装 SOT-262 375-04 -

安装方式 Flange - Flange

频率 - 500 MHz -

额定电流 15.0 A 26 A 8.00 A

额定功率 - 400 W -

耗散功率 - 400 W -

输出功率 150 W 150 W 60.0 W

增益 10.0 dB 11.2 dB 14.0 dB

测试电流 - 100 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 400000 mW -

额定电压 - 65 V -

电源电压(DC) 28.0 V - 28.0 V

额定电压(DC) 65.0 V - 65.0 V

漏源击穿电压 65.0V (min) - 65.0V (min)

连续漏极电流(Ids) 15.0 A - 8.00 A

漏源极电压(Vds) - - 65.0 V

封装 SOT-262 375-04 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -