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AT45DB081D-MU、AT45DB642D-CNU、AT45DB641E-MWHN-Y对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT45DB081D-MU AT45DB642D-CNU AT45DB641E-MWHN-Y

描述 Flash Mem Serial-SPI 3V/3.3V 8M-Bit 6ns 8Pin MLF EPFlash Mem Parallel/Serial-SPI 3.3V 64M-Bit 8M x 8 6ns 8Pin CASONAdesto### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

数据手册 ---

制造商 ATMEL (爱特美尔) ATMEL (爱特美尔) Adesto Technologies

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 MLF EP CASON-8 VDFN-8

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 66.0 MHz 66 MHz 85 MHz

存取时间 - 66.0 µs -

内存容量 1000000 B 8000000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V, 3.3V 2.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) - 2.7 V 1.7 V

工作电压 - - 1.7V ~ 3.6V

供电电流 - - 15 mA

针脚数 - - 8

位数 - - 8

存取时间(Max) - - 7 ns

封装 MLF EP CASON-8 VDFN-8

长度 - - 8.1 mm

宽度 - - 6.1 mm

高度 - - 0.95 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown End of Life Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.1.a 3A991.b.1.a