FDS6375、NDS8434A、NDS8434对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDS6375 NDS8434A NDS8434

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6375  晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -20 V, 24 mohm, -4.5 V, -700 mV单P沟道增强型场效应晶体管 Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS8434  晶体管, MOSFET, P沟道, -6.5 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -700 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -20.0 V

额定电流 -8.00 A -7.80 A -6.70 A

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.014 Ω 26 mΩ 0.026 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

输入电容 2.69 nF - 2.33 nF

栅电荷 26.0 nC 55.0 nC 80.0 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 -400 V 20 V -20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.80 A -6.50 A

上升时间 9 ns 38 ns -

输入电容(Ciss) 2694pF @10V(Vds) 1730pF @10V(Vds) 2330pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

下降时间 57 ns 78 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99