SIHB24N65E-E3、SIHB24N65E-GE3对比区别

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型号 SIHB24N65E-E3 SIHB24N65E-GE3

描述 VISHAY SIHB24N65E-E3 Power MOSFET, N Channel, 24A, 650V, 0.12Ω, 10V, 2VVISHAY  SIHB24N65E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-263

针脚数 - 3

漏源极电阻 0.12 Ω 0.12 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 250 W 250 W

阈值电压 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V

上升时间 84 ns 84 ns

输入电容(Ciss) - 2740pF @10V(Vds)

下降时间 69 ns 69 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 250 W

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

封装 TO-252-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free