FDB6030L、FDB8880对比区别

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型号 FDB6030L FDB8880

描述 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 52.0 A 54.0 A

针脚数 - 3

漏源极电阻 13.0 mΩ 0.0095 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 52 W 55 W

阈值电压 - 2.5 V

输入电容 - 1.24 nF

栅电荷 - 22.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 48.0 A 54.0 A

上升时间 12 ns 107 ns

输入电容(Ciss) 1250pF @15V(Vds) 1240pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 52 W 55 W

下降时间 12 ns 51 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 52W (Tc) 55 W

长度 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 11.33 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99