2N6083、SD1732、MRF317对比区别
描述 射频与微波晶体管130 ... 230兆赫调频模块应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONS射频与微波晶体管电视线性应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV LINEAR APPLICATIONS射频线NPN硅功率晶体管100W , 30-200MHz , 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com
分类 MOS管双极性晶体管
安装方式 - - Chassis
引脚数 - - 4
封装 - SON-8 316-01
耗散功率 - 65 W 270 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 35 V
增益 - - 10 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 10 10 @5A, 5V
额定功率(Max) - - 100 W
最大电流放大倍数(hFE) - 10 @0.5A, 20V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
封装 - SON-8 316-01
长度 - 19.02 mm -
宽度 - 6.53 mm -
高度 - 4.83 mm -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - - Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free