2N6275、JANTX2N6650、2N3583对比区别

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型号 2N6275 JANTX2N6650 2N3583

描述 Bipolar Transistors - BJT NPN TransistorTO-3 PNP 80V 10ANTE ELECTRONICS  2N3583  晶体管, NPN 高电压

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 2

封装 TO-3 TO-3 TO-66

极性 - PNP NPN

耗散功率 - 5 W 35 W

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

集电极最大允许电流 - 10A -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @5A, 3V -

额定功率(Max) - 5 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) 250000 mW 5000 mW -

针脚数 - - 2

直流电流增益(hFE) - - 40

封装 TO-3 TO-3 TO-66

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -