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JANTX2N6675、JANTXV2N6676、JAN2N6675对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6675 JANTXV2N6676 JAN2N6675

描述 Trans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-204

引脚数 3 - -

击穿电压(集电极-发射极) - - 400 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 8 @10A, 2V

额定功率(Max) - - 6 W

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 6000 mW - -

封装 TO-3 TO-3 TO-204

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 - -

香港进出口证 - NLR -