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IXTP110N055P、IXTQ110N055P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP110N055P IXTQ110N055P

描述 TO-220 N-CH 55V 110ATO-3P N-CH 55V 110A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-3-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 390W (Tc) 390W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 110A 110A

输入电容(Ciss) 2210pF @25V(Vds) 2210pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 390W (Tc) 390W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free