SI7940DP-T1-E3、SI7940DP-T1-GE3、SI7940DP对比区别

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型号 SI7940DP-T1-E3 SI7940DP-T1-GE3 SI7940DP

描述 MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOICMOSFET Dual P-Ch 12V 17mohm @ 4.5VPower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SO-8 SO-8 -

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V -

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W -

长度 6.15 mm - -

宽度 5.15 mm - -

高度 1.04 mm - -

封装 SO-8 SO-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -