IRFR4105、IRFR4105PBF、IRFR4105TRLPBF对比区别
型号 IRFR4105 IRFR4105PBF IRFR4105TRLPBF
描述 DPAK N-CH 55V 27AN 通道功率 MOSFET 20A 至 29A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 55V 27A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 25.0 A - -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 48.0 W 46 W 68 W
产品系列 IRFR4105 - -
漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 27.0 A 27A 27A
上升时间 49.0 ns 49 ns 49 ns
额定功率 - 48 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.045 Ω -
阈值电压 - 4 V -
输入电容(Ciss) - 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
下降时间 - 40 ns 40 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 68W (Tc) 68W (Tc)
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm 6.5 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.3 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)