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DS1249Y-85IND、DS1249Y-85IND#、DS1249Y-70IND#对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1249Y-85IND DS1249Y-85IND# DS1249Y-70IND#

描述 IC NVSRAM 2Mbit 85NS 32DIPIC NVSRAM 2Mbit 85NS 32DIPIC NVSRAM 2Mbit 70NS 32DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

引脚数 32 - -

存取时间 85 ns 85 ns 70 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

时钟频率 85.0 GHz - -

内存容量 2000000 B - -

长度 43.69 mm - 43.69 mm

宽度 18.8 mm - 18.8 mm

高度 9.4 mm - 9.4 mm

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅