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VN820-B513TR、VN820B5-E、BTS443P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN820-B513TR VN820B5-E BTS443P

描述 高端驱动器 HIGH SIDE DRIVERSTMICROELECTRONICS  VN820B5-E  驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30µs延迟, P2PAK5INFINEON  BTS443P  智能电源开关, SIPMOS技术, 高压侧, 1路输出, 36V, 65A, TO-252-5

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 5

封装 P2PAK (4 leads + Tab) TO-263-5 TO-252-5

电源电压(DC) 36.0V (max) 5.50V (min) 36.0V (max)

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) - - 36.0 V

输出电压 - - 43 V

输出电流 - 20 A 2.3 A

通道数 1 - 1

针脚数 - 5 5

耗散功率 65800 mW 65.8 W 42 W

输出电流(Max) 9 A 9 A 21 A

输出电流(Min) - - 6.2 A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 65800 mW 42000 mW

工作电压(Max) - - 36 V

电源电压 5.5V ~ 36V 13 V 5.36 VDC

电源电压(Min) - 5.5 V 5 V

输入电压 - - 36 V

输入数 - 1 -

电源电压(Max) - 36 V -

供电电流 25.0 mA - -

漏源极电阻 80.0 mΩ - -

长度 - 10.4 mm 6.5 mm

宽度 - 9.35 mm 6.22 mm

高度 - 4.8 mm 2.3 mm

封装 P2PAK (4 leads + Tab) TO-263-5 TO-252-5

厚度 - - 2.30 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99