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6116SA55DB、IDT6116SA55DB、6116LA55DB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116SA55DB IDT6116SA55DB 6116LA55DB

描述 静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 CDIP-24 CDIP CDIP-24

存取时间 55 ns - 55 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

长度 32 mm - 32 mm

宽度 15.24 mm - 15.24 mm

高度 2.9 mm - 2.9 mm

封装 CDIP-24 CDIP CDIP-24

厚度 2.90 mm - 2.90 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - 3A001 -