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DS2016-100、DS2016-100+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS2016-100 DS2016-100+

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V/5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIP WSRAM Chip Async Single 3.3V/5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIP

数据手册 --

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 24 24

封装 DIP-24 DIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 100 GHz 100 GHz

存取时间 100 ns 100 ns

内存容量 16000 B 16000 B

电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V

封装 DIP-24 DIP-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅