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1N6134、JANTX1N6134、JAN1N6134对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6134 JANTX1N6134 JAN1N6134

描述 600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - B B

最大反向电压(Vrrm) - 114V 114V

脉冲峰值功率 - 500 W 500 W

最小反向击穿电压 - 135.38 V 135.38 V

封装 - B B

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead