BZT52H-C36,115、BZT52H-B36,115对比区别

高亮显示差异参数

型号 BZT52H-C36,115 BZT52H-B36,115

描述 SOD-123F 36V 830mWSOD-123F 36V 830mW

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 -

封装 SOD-123F SOD-123F

容差 ±5 % ±2 %

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA

耗散功率 0.83 W 830 mW

测试电流 5 mA 5 mA

稳压值 36 V 36 V

正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA

额定功率(Max) 375 mW 375 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 830 mW 830 mW

电容 - -

高度 1.2 mm -

封装 SOD-123F SOD-123F

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 33.9 mV/K 33.9 mV/K

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - -