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GP30MHE3/54、GP30M-E3/54、GP30MHE3/73对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GP30MHE3/54 GP30M-E3/54 GP30MHE3/73

描述 DIODE 3A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier DiodeDIODE 3A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier DiodeDIODE 3A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管整流二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

正向电压 1.1V @3A 1.1V @3A 1.1V @3A

反向恢复时间 5 µs 5 µs 5 µs

正向电流 3 A - -

正向电压(Max) 1.1V @3A - 1.1V @3A

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

长度 9.5 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 5.3 mm - -

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free