STP11NK50ZFP、STP60NF06FP、FQPF13N50T对比区别

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型号 STP11NK50ZFP STP60NF06FP FQPF13N50T

描述 STMICROELECTRONICS  STP11NK50ZFP  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 VN沟道60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFETN沟道MOSFET QFET N-Channel QFET MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.52 Ω 0.014 Ω 430 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 30 W 56 W

阈值电压 3.75 V 4 V -

输入电容 1390 pF - -

漏源极电压(Vds) 500 V 60 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 60 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 37.0 A 12.5 A

上升时间 18 ns 108 ns -

输入电容(Ciss) 1390pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 30 W 30 W 56 W

下降时间 15 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 30000 mW 30W (Tc) 56W (Tc)

额定电压(DC) - 60.0 V 500 V

额定电流 - 60.0 A 12.5 A

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±30.0 V

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 9.3 mm 9.3 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99