LMV358IDT、LMV358LIDT、LMV358ID对比区别

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型号 LMV358IDT LMV358LIDT LMV358ID

描述 STMICROELECTRONICS  LMV358IDT  运算放大器, 双路, 1.3 MHz, 2个放大器, 0.45 V/µs, 2.7V 至 6V, SOIC, 8 引脚LMV358L 系列 5.5 V 1.3 MHz 通用 运算放大器 - SOIC-8STMICROELECTRONICS  LMV358ID  运算放大器, 双路, 1.3 MHz, 2个放大器, 0.45 V/µs, 2.7V 至 6V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

输出电流 48mA @5V 46 mA 48mA @5V

针脚数 8 8 8

共模抑制比 55 dB 85 dB 65 dB

带宽 1.3 MHz 1.3 MHz 1.3 MHz

转换速率 450 mV/μs - 450 mV/μs

增益频宽积 1.3 MHz 1.3 MHz 1.3 MHz

输入补偿电压 100 µV 1 mV 3 mV

输入偏置电流 16 nA 27 nA 63 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 65 dB 72 dB 65 dB

电源电压 2.7V ~ 6V 2.7V ~ 6V 2.7V ~ 6V

电源电压(DC) 7.00V (max) - -

供电电流 162 µA 130 µA -

电路数 2 2 -

通道数 2 - -

增益带宽 1.3 MHz 1.3 MHz -

电源电压(Max) 6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.25 mm - 1.65 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -