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PN2222ABU、PN2222AG、PN2222BU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PN2222ABU PN2222AG PN2222BU

描述 ON Semiconductor PN2222ABU , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:35, 300 MHz, 3引脚 TO-92封装通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN SiliconTRANS NPN 30V 0.6A TO-92 CASE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

频率 300 MHz 300 MHz -

额定电压(DC) - 40.0 V -

额定电流 - 600 mA -

极性 - NPN -

耗散功率 625 mW 625 mW -

热阻 - 83.3℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 0.6A -

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

针脚数 3 - -

输入电容 25 pF - -

上升时间 25 ns - -

直流电流增益(hFE) 35 - -

下降时间 60 ns - -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Bag Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -