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IRF7404、IRF7404TRPBF、IRF7404QPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7404 IRF7404TRPBF IRF7404QPBF

描述 SOIC P-CH 20V 6.7AINFINEON  IRF7404TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -6.7 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -700 mVINFINEON  IRF7404QPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 6.7 A, -20 V, 40 mohm, -4.5 V, 700 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

额定功率 - 2.5 W -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.04 Ω 0.04 Ω

极性 P-Channel P-CH P-CH

耗散功率 2.50 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 700 mV 700 mV

输入电容 - 1500 pF -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.70 A 6.7A 6.7A

上升时间 32 ns 32 ns 32 ns

输入电容(Ciss) 1500pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

下降时间 65 ns 65 ns 65 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) 2500 mW

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -6.70 A - -

产品系列 IRF7404 - -

漏源击穿电压 -20.0 V - -

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -