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IDT71256S85DB、TC55257DPI-85L、TC55257BPL-85L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71256S85DB TC55257DPI-85L TC55257BPL-85L

描述 CMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)SRAM Chip Async Single 3.3V/5V 256Kbit 32K x 8 85ns 28Pin PDIP85ns; V(dd/in): -0.3 to +7V; silicon gate CMOS: 32,768 word x 8Bit staic RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 28 -

封装 DIP PDIP DIP

位数 - 8 -

存取时间(Max) - 85 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 DIP PDIP DIP

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

ECCN代码 3A001 - -