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IRF820AS、IRF820ASPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF820AS IRF820ASPBF

描述 MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - -

耗散功率 50W (Tc) 50000 mW

上升时间 - 12 ns

输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)

下降时间 - 13 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V -

额定功率(Max) 50 W -

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

极性 - -

连续漏极电流(Ids) - -

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free