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BSO303SP、IRF9333TRPBF、AUIRF7416QTR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO303SP IRF9333TRPBF AUIRF7416QTR

描述 的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-TransistorINFINEON  IRF9333TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOICSOIC P-CH 30V 10A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 P-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2.5 W 2.5 W

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.0156 Ω -

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 2.35 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 - IRF9333 -

输入电容 - 1110 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8.9A -9.20 A 10A

上升时间 12.5 ns 44 ns 49 ns

输入电容(Ciss) 1754pF @25V(Vds) 1110pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.35 W 2.5 W -

下降时间 40.3 ns 49 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -8.90 A - -

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.75 mm 1.5 mm -

封装 P-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -