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IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR、IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR

描述 Ic Psram 16Mbit 60ns 48bga静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 48

封装 TFBGA-48 TFBGA-48

存取时间 - 70 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 TFBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99